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制造半導體器件或集成電路用物理氣相沉積裝置(物理氣相沉積裝置(PVD))  8486202200

申報實例匯總

商品編碼 商品名稱
8486202200 高真空蒸著鍍膜設(shè)備
8486202200 高真空電子束蒸鍍系統(tǒng)（物理沉積/實驗室用）
8486202200 高功率脈沖磁控濺射沉積系統(tǒng)
8486202200 鍍膜設(shè)備
8486202200 鍍膜機用晶片蓋板
8486202200 鍍膜機
8486202200 鉑金埃爾默濺射系統(tǒng)(舊)
8486202200 金屬鍍膜系統(tǒng)
8486202200 金屬蒸鍍機用金屬鍍鍋
8486202200 蒸發(fā)臺（舊）
8486202200 等靜壓機
8486202200 端導真空濺射鍍膜機
8486202200 離子束輔助沉積鍍膜系統(tǒng);輔助紅外器件鍍膜;沉淀金屬;牛津
8486202200 磁控濺射鍍膜機
8486202200 磁控濺射設(shè)備(舊,物理氣相沉積裝置)ALCATEL COMPTECH
8486202200 磁控濺射系統(tǒng)（鍍膜專用）
8486202200 磁控濺射和電子束蒸發(fā)一體薄膜沉積系統(tǒng);用于基片上沉積制備金屬或氧化物薄膜材料;進行膜層材料的沉積,并可控制沉積膜層的速率和厚度;DE
8486202200 硅片蒸發(fā)臺(舊)
8486202200 真空蒸發(fā)臺
8486202200 電子束鍍膜機（物理氣相沉積裝置）
8486202200 電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
8486202200 電子束蒸發(fā)臺
8486202200 物理氣相淀積裝置PVD(舊)
8486202200 物理氣相沉積設(shè)備（舊）
8486202200 物理氣相沉積設(shè)備/在硅片表面
8486202200 物理氣相沉積設(shè)備/APPLIED牌
8486202200 物理氣相沉積設(shè)備(舊)
8486202200 物理氣相沉積設(shè)備 （舊）
8486202200 物理氣相沉積設(shè)備
8486202200 物理氣相沉積裝置
8486202200 物理氣相沉積儀
8486202200 濺鍍系統(tǒng)
8486202200 濺鍍機
8486202200 濺射機
8486202200 濺射臺（物理氣相沉積設(shè)備）
8486202200 濺射臺(舊)
8486202200 濺射臺
8486202200 舊濺射裝置/七成新
8486202200 小型蒸金濺射臺(舊)
8486202200 射頻發(fā)生器(PVD裝置用)4012#
8486202200 射頻發(fā)生器(PVD裝置用)4003#
8486202200 射頻發(fā)生器(PVD裝置用)4002#
8486202200 射頻發(fā)生器(PVD裝置用)4001#
8486202200 射頻發(fā)生器(PVD裝置用)306#
8486202200 射頻發(fā)生器(PVD裝置用)305#
8486202200 射頻發(fā)生器(PVD裝置用)303#
8486202200 射頻發(fā)生器(PVD裝置用)302#
8486202200 射頻發(fā)生器(PVD裝置用)301#
8486202200 射頻發(fā)生器(PVD裝置用)300#
8486202200 射頻發(fā)生器(PVD裝置用)26#
8486202200 射頻發(fā)生器(PVD裝置用)20#
8486202200 多功能離子束聯(lián)合濺射系統(tǒng)
8486202200 噴膠機
8486202200 半導體金屬離子PVD蒸發(fā)系統(tǒng)/2004年產(chǎn)/七成新
8486202200 半導體行業(yè)用金屬濺射設(shè)備
8486202200 半導體用物理氣相沉積設(shè)備(舊)
8486202200 半導體PVD真空濺射鍍膜機/2006年產(chǎn)/七成新
8486202200 前電極磁控濺射沉積系統(tǒng)
8486202200 制造半導體器件或集成電路用物理氣相沉積裝置
8486202200 分子束外延腔體組件
8486202200 全自動磁控離子濺射儀
8486202200 介質(zhì)膜蒸鍍機上的鍍鍋
8486202200 二氧化碳發(fā)泡機
8486202200 丹頓真空磁控離子濺射臺濺射成膜
8486202200 WB3100焊線機
8486202200 PVD磁控濺射鍍膜線
8486202200 PVD